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51.
静脉滴注的临床决策   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了静脉滴注的动力学一般模型,讨论了模型的性质,在给药剂量确定的条件下,探讨了调整滴注速率使治疗效果达到最佳的临床决策方法。  相似文献   
52.
光束发散度对紫外写入光纤光栅的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
李琳  赵岭  高侃  黄锐  方祖捷 《光学学报》2002,22(6):49-752
用傅里叶衍射光学分析了准分子激光束发散度对于光纤光栅制备的影响,发现光束发散角使光纤光栅的布拉格波长发生改变,相位版后干涉场沿光纤轴向和径向不均匀,对制备30dB高反射率光纤光栅造成困难。实验结果与理论分析基本一致,相对于理想平行光束情况,会聚光束使得光纤光栅布拉格波长出现在短波一边,发射光束使得光纤光栅布拉格波长出现在长波一边。  相似文献   
53.
基于8点长方集团变分模型,并引入各向同性最近邻相互作用,以及各向异性次近邻相互作用,计算了YBa2Cu3Oz两Ba层间铜氧平面上□—O系统的有序—无序相变图,不仅在z=7.0附近得到具有超导电性的正交相,并且在z=6.5附近得到具有两倍晶格长度的另一种正交相(正交相Ⅱ)。 关键词:  相似文献   
54.
织构C60薄膜的生长与光致发光特性   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
陈光华  张阳  严辉 《物理学报》1997,46(7):1375-1379
用Hot Wal方法,在氟金云母单晶上生长出了(111)织构的C60薄膜.用X射线衍射、Raman散射、扫描电子显微镜和原子力显微镜研究了织构C60薄膜的结晶质量和结构特性.测量了织构C60薄膜在室温300K和低温77K的光致发光光谱.对所得结果进行了分析与讨论 关键词:  相似文献   
55.
金属与金刚石薄膜接触的电学特性研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
陈光华  张兴旺  季亚英  严辉 《物理学报》1997,46(6):1188-1192
用热丝辅助化学汽相沉积技术在Si衬底上合成了含少量受主型杂质的近于本征的金刚石薄膜,并研究了三种金属(Cu,Ag和Al)与它接触的电学特性,以及退火对接触特性的影响.结果表明Cu,Ag与金刚石薄膜接触的电学特性比较类似,而Al则明显不同;而且退火对它们的接触特性影响很大 关键词:  相似文献   
56.
本文研究了胆绿素的表面增强拉曼光谱。结果表明,在溶液酸度不同时,拉曼光谱特征频率的变化表现出胆绿素的质子化。铜离子与胆绿素的相互作用实验结果说明金属铜离子可与胆绿素生成金属配合物。  相似文献   
57.
张明  于文  张君  张远仪  王文魁 《物理学报》1996,45(10):1724-1728
利用原位X射线衍射技术得到非晶调制多层膜Nb/Si中的互扩散系数与退火温度的关系,调制周期L=3.2nm的非晶调制多层膜是用粒子溅射方法制备的.温度范围为423—523K的有效互扩散系数通过原位测量多层膜的一级调制峰强度与退火温度之间的关系而得到.利用缺陷陷阱延迟扩散机制解释了所得到的扩散系数与退火温度的关系.建立了可以解释较小前置系数的模型 关键词:  相似文献   
58.
 应用高压原位差热方法,直接测量了压力下锗的固化参数─—固化温度与过冷度。高压差热信号表明,当压力大于3 GPa时,锗在凝固过程中可能发生结构相变。X射线结构分析表明,在最终的样品中除GeⅠ相外,还形成GeⅢ相和GeⅣ相。  相似文献   
59.
激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜的发光特性   总被引:12,自引:6,他引:6       下载免费PDF全文
研究了不同温度和不同光激发强度下激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜样品的发光性能,发现YAG脉冲激光激发,强度超过一定值时会在长波方向上出现一个新的发光峰,此峰可能起源于电子-空穴的复合。室温下氙灯激发的光谱中可以看到峰值位于381nm的近带边紫外发射峰和位于450nm的强的蓝绿带发射,根据光致发光激发光谱的特征给出了一个简单的蓝光发射模型。对比YAG脉冲激光激发和氙灯激发得到的实验光谱,我们认为不同的光谱特征和样品发光的激发机制有关,紫外峰发射需激发强度超过一定值才能观察到,而蓝带发射则在一定的激发强度下迅速饱和。  相似文献   
60.
李春潮  张学英  吴钢  管督 《发光学报》2006,27(6):963-966
以ZnO和HGaO2为原料,用不同配比合成出系列ZnGa2O4,并对其晶体结构和发光性能进行了研究。用荧光分光光度计检测了ZnGa2O4的激发和发射光谱,用X射线衍射仪检测了ZnGa2O4的衍射图谱,用热重差热仪绘制了TGA-DAT曲线。对检测结果分析认为:1.ZnGa2O4属于尖晶石结构,稍过量的Zn或Ga能进入ZnGa2O4结构中,并对ZnGa2O4的晶格常数产生一定影响。2.ZnGa2O4存在两个自激发光中心,当Ga稍过量时,自激发光中心是四面体镓氧键[Td(Ga-O)],最大激发波长约248nm,最大发射波长约367nm;当Zn稍过量时,自激发光中心是八面体镓氧键[Oh(Ga-O)],最大激发波长约270nm,最大发射波长约441nm。当n(Zn):n(Ga)在理论值附近,激发和发射光强度最大,而且光谱峰位发生了红移。3.ZnGa2O4的热稳定性能非常好。上述结论对研究ZnGa2O4基质或掺杂的发光材料具有一定意义。  相似文献   
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